SISH410DN-T1-GE3

ပုံသည် ကိုးကားရန်ဖြစ်သည်၊ ဓါတ်ပုံအစစ်အမှန်ရရှိရန် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

ထုတ်လုပ်သူအပိုင်း	SISH410DN-T1-GE3
ထုတ်လုပ်သူ	Vishay / Siliconix
ဖော်ပြချက်	MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
အမျိုးအစား	discrete semiconductor ထုတ်ကုန်များ
မိသားစု	transistors - fets, mosfets - တစ်ခုတည်း
ဘဝဖြစ်စဥ်:	New from this manufacturer.
ပို့ဆောင်ခြင်း-	DHL FedEx Ups TNT EMS
ငွေပေးချေမှု	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
အချက်အလက်စာရွက်	SISH410DN-T1-GE3 PDF

ရရှိနိုင်မှု

ကုန်ပစ္စည်းလက်ဝယ်ရှိ	၆,၉၇၄
တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	$ 1.13000

SISH410DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SISH410DN-T1-GE3 သတ်မှတ်ချက်များ

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး:	TrenchFET®
အထုပ်:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
အပိုင်းအခြေအနေ:	Active
feet အမျိုးအစား:	N-Channel
နည်းပညာ:	MOSFET (Metal Oxide)
အရင်းအမြစ်ဗို့အား (vdss) သို့ စီးဆင်းရန်:	20 V
လက်ရှိ - စဉ်ဆက်မပြတ်မြောင်း (id) @ 25°c:	22A (Ta), 35A (Tc)
မောင်းနှင်မှုဗို့အား (အမြင့်ဆုံး rds ကိုဖွင့်ထားပြီး မိနစ် rds ဖွင့်ထားသည်):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID:	2.5V @ 250µA
ဂိတ်တာဝန်ခံ (qg) (အမြင့်ဆုံး) @ vgs:	41 nC @ 10 V
vgs (အမြင့်ဆုံး):	±20V
input capacitance (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 10 V
feet အင်္ဂါရပ်:	-
ဓာတ်အားခွဲထုတ်ခြင်း (အမြင့်ဆုံး):	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Operating အပူချိန်:	-55°C ~ 150°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား:	Surface Mount
ပေးသွင်းကိရိယာ ပက်ကေ့ချ်:	PowerPAK® 1212-8SH
အထုပ်/အထုပ်:	PowerPAK® 1212-8SH

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.